Effect of post-deposition treatments on the hydrogenation of hot-wire deposited amorphous silicon films

被引：0

作者：

Feenstra, K.F. ^{[1
]}

Alkemade, P.F.A. ^{[2
]}

Algra, E. ^{[2
]}

Schropp, R.E.I. ^{[1
]}

Van Der Weg, W.F. ^{[1
]}

机构：

[1] Debye Institute, Interface Physics, Utrecht University, P.O. Box 80000, 3508 TA Utrecht, Netherlands

[2] DIMES, Department of Applied Physics, Delft University of Technology, Lorentzweg I, 2628 CJ Delft, Netherlands

来源：

Progress in Photovoltaics: Research and Applications | / 7卷 / 05期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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