Atomic layer epitaxy of GaAs using GaBr and GaI sources

被引：0

作者：

Taki, Tetsuya ^{[1
]}

Koukitu, Akinori ^{[1
]}

机构：

[1] Tokyo Univ of Agriculture and, Technology, Tokyo, Japan

来源：

Applied Surface Science | 1997年 / 112卷

关键词：

Number:; -; Acronym:; MEXT; Sponsor: Ministry of Education; Culture; Sports; Science and Technology;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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