Growth and characterization of metamorphic InxGa1-xAs/InAlAs (x ≥ 0.8) modulation doped heterostructures on GaAs using a linearly graded In(AlGa)As buffer layer

被引：0

作者：

Wang, S.M. ^{[1
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Karlsson, C. ^{[1
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Rorsman, N. ^{[1
]}

Bergh, M. ^{[1
]}

Olsson, E. ^{[1
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Andersson, T.G. ^{[1
]}

机构：

[1] Chalmers Univ of Technology, Goteborg, Sweden

来源：

Physica Scripta T | 1997年 / T69卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：325 / 331