A physically based lifetime model for stress-induced voiding in interconnects

被引：0

作者：

Zhai, Charlie Jun ^{[1
]}

Blish, Richard Clark ^{[1
]}

机构：

[1] Advanced Micro Devices, Inc., MS 79, One AMD Place, Sunnyvale, CA 94088, United States

来源：

Journal of Applied Physics | 2005年 / 97卷 / 11期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用