Atomic layer epitaxy growth of ZnSe on (100) GaAs using metalorganic vapor-phase epitaxy system

被引：0

作者：

Hsu, Ch.-T. ^{[1
]}

机构：

[1] Natl Yun-Lin Polytechnic Inst, Yun Lin, Taiwan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1996年 / 35卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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