Selective Ge CVD as a via hole filling method and self-aligned impurity diffusion microsource in Si processing

被引：0

作者：

机构：

[1] Cheng, Min-Lin

[2] Kohlhase, Armin

[3] Sato, Taketoshi

[4] Kobayashi, Shin-ichi

[5] Murota, Junichi

[6] Mikoshiba, Nobuo

来源：

Cheng, Min-Lin | 1600年 / 28期

关键词：

Semiconducting Germanium;

D O I：

暂无

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学科分类号：

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