Photoluminescence of erbium-doped silicon: Temperature dependence

被引：0

作者：

Ammerlaan, C.A.J. ^{[1
]}

Thao, D.T.X. ^{[1
,2
]}

Gregorkiewicz, T. ^{[1
]}

Andreev, B.A. ^{[3
]}

Krasil'nik, Z.F. ^{[3
]}

机构：

[1] Van der Waals-Zeeman Institute, University of Amsterdam, Valckenierstraat 65, NL-1018 XE Amsterdam, Netherlands

[2] Intl. Train. Inst. for Mat. Science, ITIMS Building, Dai hoc Bach Khoa Hanoi, 1 Dai Co Viet Road, Hanoi, Viet Nam

[3] Inst. for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, GSP-105, Nizhny Novgorod, RU-603600, Russia

来源：

Solid State Phenomena | 1999年 / 69卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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