GROWTH OF SEMI-INSULATING GaAs SINGLE CRYSTAL BY LEC METHOD.

被引：0
|
作者：
Osaka, Jiro [1 ]
Kobayashi, Takashi [1 ]
Nakanishi, Hideo [1 ]
机构：
[1] Electrical Communication Lab, Device, Material Section, Atsugi, Jpn, Electrical Communication Lab, Device Material Section, Atsugi, Jpn
来源：
Reports of the Electrical Communication Laboratory | 1985年 / 33卷 / 01期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE
引用
收藏
页码：146 / 155
相关论文
共 50 条
12345