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Two-dimensional electron and hole states at the staggered band line-up interface of InAlAs/InP
被引：7
作者：
Boehrer, J.
Krost, A.
Bimberg, D.
Helm, M.
Bauer, G.
机构：
关键词：
D O I：
10.1063/1.110284
中图分类号：
学科分类号：
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