Surface morphology of 3C-SiC heteroepitaxial layers grown by LPCVD on Si substrates

被引：0

作者：

Takahashi, T. ^{[1
]}

Ishida, Y. ^{[1
]}

Okumura, H. ^{[1
]}

Yoshida, S. ^{[1
]}

Sekigawa, T. ^{[1
]}

机构：

[1] Electrotechnical Lab, Tsukuba, Japan

来源：

Materials Science Forum | 1998年 / 264-268卷 / pt 1期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

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页码：207 / 210

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