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B-doped Si(001)2 × 1 gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6 and B2H6
被引：0
作者：
Univ of Illinois, Urbana, United States
[1
]
机构：
来源：
Vacuum
|
/
8-10卷
/
913-916期
关键词：
Number:;
DEAC0276ER01198;
Acronym:;
-;
Sponsor:;
N00014-Sl-K-0568;
ONR;
Sponsor: Office of Naval Research;
SRC;
Sponsor: Semiconductor Research Corporation;
D O I：
暂无
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