Study of single and double Si δ-doped GaAs layers by spectral photoconductivity measurements

被引：0

作者：

Oswald, J. ^{[1
]}

Pastrňák, J. ^{[1
]}

Karel, F. ^{[1
]}

Petříček, O. ^{[1
]}

Salokatve, A. ^{[2
]}

机构：

[1] Institute of Physics, Czech Acad. Sci., C., Prague, Czech Republic

[2] Tampere University of Technology, Tampere, Finland

来源：

Thin Solid Films | 1999年 / 342卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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