Deep-submicron trench profile control using a magnetron enhanced reactive ion etching system for shallow trench isolation

被引：0

作者：

Yeon, Chung-Kyu ^{[1
]}

You, Hyuk-Joon ^{[1
]}

机构：

[1] ULSI Laboratory, LG Semicon Co., Ltd., 1, Hyangjeong-dong, Cheongju-si 361-480, Korea, Republic of

来源：

| 1998年 / AVS Science and Technology Society卷 / 16期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用