Electrothermal simulation of 4H-SiC power devices

被引：0

作者：

Wright, N.G. ^{[1
]}

Morrison, D.J. ^{[1
]}

Johnson, C.M. ^{[1
]}

O'Neill, A.G. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Newcastle upon Tyne, Newcastle upon Tyne, United Kingdom

来源：

Materials Science Forum | 1998年 / 264-268卷 / pt 2期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

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