Molecular-beam epitaxy of silicon by sublimation

被引：0

作者：

N.I. Lobachevskii Nizhegorod State, Univ, Russia ^{[1
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机构：

来源：

Physics, chemistry and mechanics of surfaces | 1995年 / 10卷 / 10-11期

关键词：

D O I：

暂无

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