GROWTH AND CHARACTERIZATION OF GaAs LAYERS GROWN ON Ge/Si SUBSTRATES BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION.

被引：0

作者：

Fukuda, Yukio ^{[1
]}

Kadota, Yoshiaki ^{[1
]}

Ohmachi, Yoshiro ^{[1
]}

机构：

[1] NTT, Applied Electronics Lab,, Musashino, Jpn, NTT, Applied Electronics Lab, Musashino, Jpn

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes | 1988年 / 27卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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