Microscopic analysis of current-induced domain conversion phenomena on Si(001) vicinal surface

被引：0

作者：

Ohmi, H. ^{[1
]}

Ihara, N. ^{[1
]}

Wada, K. ^{[1
]}

机构：

[1] Hokkaido Univ, Sapporo, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1998年 / 37卷 / 07期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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