VERY-LOW-TEMPERATURE SILICON EPITAX BY PLASMA-CVD USING SiH4-PH3-H2 REACTANTS FOR BIPOLAR DEVICES.

被引：0

作者：

Uematsu, Tsuyoshi ^{[1
]}

Matsubara, Sunao ^{[1
]}

Kondo, Masao ^{[1
]}

Tamura, Masao ^{[1
]}

Saitoh, Tadashi ^{[1
]}

机构：

[1] Hitachi Ltd, Kokubunji, Jpn, Hitachi Ltd, Kokubunji, Jpn

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1988年 / 27卷 / 04期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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