GaInP/AlInP quantum well structures and double heterostructure lasers grown by molecular beam epitaxy on (100) GaAs

被引：0

作者：

Hayakawa, Toshiro ^{[1
]}

Takahashi, Kosei ^{[1
]}

Hosoda, Masahiro ^{[1
]}

Yamamoto, Saburo ^{[1
]}

Hijikata, Toshiki ^{[1
]}

机构：

[1] Sharp Corp, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters | 1988年 / 27卷 / 08期

关键词：

Double Heterostructure Laser - Quantum Well Structures;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用