Enhanced growth mechanism in lateral solid-phase epitaxy of Si films simultaneously doped with P and Ge atoms

被引：0

作者：

Oh, Jeong-Hee ^{[1
]}

Kim, Chul-Ju ^{[1
]}

Ishiwara, Hiroshi ^{[1
]}

机构：

[1] Tokyo Inst of Technology, Yokohama, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1996年 / 35卷 / 03期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1605 / 1610