Two-terminal active devices for terahertz sources

被引：18

作者：

Haddad, G.I. ^{[1
]}

East, J.R. ^{[1
]}

Eisele, H. ^{[1
]}

机构：

[1] Solid-State Electronics Laboratory, Department of Electrical Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109-2122

来源：

关键词：

Ballistic devices - Transferred electron devices - TUNNETTS;

D O I：

10.1142/S0129156403001788

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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