Improvement of Ge/AlGaAs air-exposed interfaces grown by MBE and their application to n+-Ge gate AlGaAs/GaAs MISFETs

被引：0

作者：

Maezawa, Koichi ^{[1
]}

Mizutani, Takashi ^{[1
]}

机构：

[1] NTT LSI Lab, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1989年 / 28卷 / 05期

关键词：

Semiconducting Germanium;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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