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Hot-electron injection in stacked-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
被引：0
作者：
机构：
[1] Temple, M.P.
[2] Dyke, D.W.
[3] Childs, P.A.
来源：
Childs, P.A. (p.a.childs@bham.ac.uk)
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1600年
/
American Institute of Physics Inc.卷
/
97期
关键词：
D O I：
暂无
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摘要：
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