Basic characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using a high-k PrOx insulator layer

被引：0

作者：

机构：

[1] Noda, Minoru

[2] Kodama, Kazushi

[3] Kitai, Satoshi

[4] Takahashi, Mitsue

[5] Kanashima, Takeshi

[6] Okuyama, Masanori

来源：

Noda, M. | 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 93期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

(Edited Abstract)

引用