Role of grown-in defects in advanced silicon technology

被引：0

作者：

Kissinger, G. ^{[1
]}

Graef, D. ^{[1
]}

Vanhellemont, J. ^{[1
]}

Lambert, U. ^{[1
]}

Richter, H. ^{[1
]}

机构：

[1] Inst for Semiconductor Physics, Frankfurt, Germany

来源：

Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena | 1997年 / 57-58卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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