Electrical properties of oxides on silicon carbide grown by remote plasma chemical vapor deposition annealed in different gas ambients

被引：0

作者：

Goelz, A. ^{[1
]}

Gross, S. ^{[1
]}

Janssen, R. ^{[1
]}

von Kamienski, E.Stein ^{[1
]}

Kurz, H. ^{[1
]}

机构：

[1] RTWH Aachen, Aachen, Germany

来源：

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology | 1997年 / B46卷 / 1-3期

关键词：

Number:; 01; BM; Acronym:; BMBWF; Sponsor: Bundesministerium für Bildung; Wissenschaft; Forschung und Technologie; -;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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