Defects related to DRAM leakage current studied by electrically detected magnetic resonance

被引：0

作者：

Umeda, T. ^{[1
]}

Mochizuki, Y. ^{[1
]}

Okonogi, K. ^{[2
]}

Hamada, K. ^{[2
]}

机构：

[1] Silicon Systems Research Laboratories, NEC Corporation, 34 Miyukigaoka, Tsukuba 305-8501, Japan

[2] Elpida Memory Incorporation, Sagamihara 229-1198, Japan

来源：

| 1600年 / Elsevier卷 / 308-310期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Leakage currents

引用