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Molecular beam epitaxial growth of InAs/AlGaAsSb deep quantum well structures on GaAs substrates
被引：0
作者：
Kuze, N.
Goto, H.
Matsui, M.
Shibasaki, I.
机构：
来源：
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
|
1998年
/
16卷
/
05期
关键词：
D O I：
暂无
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