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Growth of InAsxP1-x/InP multi-quantum well structures by solid source molecular beam epitaxy
被引：0
作者：
Univ of Sheffield, Sheffield, United Kingdom
[1
]
机构：
来源：
J Appl Phys
|
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5卷
/
3330-3334期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
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摘要：
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