Properties of SiOxNy films deposited by LPCVD from SiH4/N2O/NH3 gaseous mixture

被引：0

作者：

LAAS-CNRS, 7 Av. Colonel Roche, 31077 Cedex 4, Toulouse, France ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Sens Actuators A Phys | / 1卷 / 52-55期

关键词：

D O I：

暂无

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