Optical properties of GaInAs/InP multi-quantum wells grown by low-pressure MOVPE

被引：0

作者：

Laurenti, J.P. ^{[1
]}

Camassel, J. ^{[1
]}

Reynes, B. ^{[1
]}

Grutzmacher, D. ^{[1
]}

Wolter, K. ^{[1
]}

Kurz, H. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ des Sciences et Techniques du, Languedoc, France

来源：

Semiconductor Science and Technology | 1990年 / 5卷 / 03期

关键词：

Semiconducting Gallium Compounds;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：222 / 228