Optimum design of base region in punch-through structure used in conductivity-modulated power devices

被引：0

作者：

He, Jin ^{[1
]}

Zhang, Xing ^{[1
]}

Huang, Ru ^{[1
]}

机构：

[1] Peking Univ, Beijing, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 2000年 / 21卷 / 08期

关键词：

Power device - Punch through structure;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

(Edited Abstract)

引用

页码：786 / 791