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Oxygen implanted silicon investigated by positron annihilation spectroscopy
被引：0
作者：
Delft Univ of Technology, Delft, Netherlands
[1
]
机构：
来源：
Nucl Instrum Methods Phys Res Sect B
|
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1-4卷
/
294-299期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
14
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