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- [1] Surfactant influence on the Ge heteroepilayer on Si(0 0 1) studied by X-ray diffraction and atomic force microscopyJ Cryst Growth, 1-2 ([d]115-119):Fundan Univ, Shanghai, China
Radiation effects of 1.3 keV electron and 1.486 keV X-ray photon on trimethylsilane doped Si (1 0 0) surfaces
被引：0
|作者：
Univ of Texas at El Paso, El Paso, United States
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]
机构：
来源：
Nucl Instrum Methods Phys Res Sect B
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1-4卷
/
223-227期
关键词：
Number:;
HRD-9353547;
Acronym:;
NSF;
Sponsor: National Science Foundation;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
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