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Study of the Growth Kinetics, the Solubility and the Polytypism of Phosphorus-doped Silicon Carbide Epitaxial Films.
被引：0
作者：
Mokhov, E.N.
Usmanova, M.M.
Yuldashev, G.V.
Makhmudov, B.S.
机构：
来源：
Neorganiceskie materialy
|
1981年
/
17卷
/
02期
关键词：
Compendex;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS
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页码：258 / 261
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