REVERSE BREAKDOWN IN GaAs MESFET'S.

被引：0

作者：

Zaitlin, Mark P. ^{[1
]}

机构：

[1] Raytheon Co, Lexington, MA, USA, Raytheon Co, Lexington, MA, USA

来源：

IEEE Transactions on Electron Devices | 1986年 / ED-33卷 / 11期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

8

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