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GeAs as a novel arsenic dimer source for n-type doping of Ge grown by molecular beam epitaxy
被引：0
作者：
Kawanaka, M.
Iguchi, N.
Fujieda, S.
Furukawe, A.
Baba, T.
机构：
来源：
Journal of Applied Physics
|
1993年
/
74卷
/
06期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
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