Optical and electrical properties of layer semiconductor p-GaSe doped with Zn

被引：0

作者：

Shigetomi, S. ^{[1
]}

Ikari, T. ^{[1
]}

Nakashima, H. ^{[1
]}

机构：

[1] Kurume Univ, Fukuoka, Japan

来源：

Journal of Applied Physics | 1993年 / 74卷 / 06期

关键词：

18;

D O I：

暂无

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页码：4125 / 4129

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