Characterization of GaAs P-N structures grown on GaAs(111)A substrates using controlled all-silicon doping

被引：0

作者：

Fujita, Kazuhisa ^{[1
]}

Watanabe, Toshihide ^{[1
]}

机构：

[1] ATR Optical and Radio Communications, Research Lab, Kyoto, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers | 1995年 / 34卷 / 2 A期

关键词：

Semiconducting gallium arsenide;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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