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INVESTIGATION OF INTERFACE STRUCTURE OF GA FACET GROWN IN THE SI-DOPED GAAS CRYSTALS.
被引：0
作者：
JIANG SINAN
机构：
来源：
|
1982年
/
V 3卷
/
N 4期
关键词：
CRYSTAL LATTICE - GALLIUM FACET GROWN REGION - INTERFACE STRUCTURE - NORMAL CRYSTAL REGION;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
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页码：277 / 281
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