Isotopic tracing of Si during thermal growth of Si3N4 ultrathin films

被引：0

作者：

Baumvol, I.J.R. ^{[1
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Borucki, L. ^{[1
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Chaumont, J. ^{[1
]}

Ganem, J.-J. ^{[1
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Kaytasov, O. ^{[1
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Piel, N. ^{[1
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Rigo, S. ^{[1
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Schulte, W.H. ^{[1
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Stedile, F.C. ^{[1
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Trimaille, I. ^{[1
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机构：

[1] Universidade Federal do Rio Grande, do Sul, Porto Alegre, Brazil

来源：

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms | 1996年 / 118卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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