Low-frequency noise in p-channel heterostructure insulated-gate field-effect transistors (HIGFET's) at 77 K and drain current of 1 μA

被引：0

作者：

Birbas, Alexios N. ^{[1
]}

Van Rheenen, Arthur D. ^{[1
]}

Baier, Steven M. ^{[1
]}

机构：

[1] Univ of Minnesota, MN, USA

来源：

Electron device letters | 1989年 / 10卷 / 07期

关键词：

Drain Current - Generation-Recombination Noise - Insulated-Gate Field-Effect Transistors - Low-Frequency Noise;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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