CHARGE TRANSPORT THROUGH LAYERS OF THERMALLY NITRIDED SiO2.

被引：0

作者：

Efimov, V.M. ^{[1
]}

Esaev, D.G. ^{[1
]}

Meerson, E.E. ^{[1
]}

Logvinskii, L.M. ^{[1
]}

Perov, G.N. ^{[1
]}

机构：

[1] Acad of Sciences of the USSR, Novosibirsk, USSR, Acad of Sciences of the USSR, Novosibirsk, USSR

来源：

| 1600年 / 98期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING SILICON

引用