SIMPLE MODEL OF MOS TRANSISTORS ON LARGE-GRAIN POLYCRYSTALLINE SILICON.

被引：0

作者：

Morales-Acevedo, A. ^{[1
]}

机构：

[1] Inst Politecnico Nacional, Dep de, Ingenieria Electrica, Mexico City,, Mex, Inst Politecnico Nacional, Dep de Ingenieria Electrica, Mexico City, Mex

来源：

| 1600年 / 88期

关键词：

MOS TRANSISTORS - POLYCRYSTALLINE SILICON;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用