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Selective doping of silicon by rapid thermal and laser assisted processes
被引：0
作者：
Besi-Vetrella, U.
Salza, E.
Pirozzi, L.
Noel, S.
Slaoui, A.
Muller, J.C.
机构：
[1] ENEA-CR Casaccia, sp 064, Via Anguillarese 301, 00060 Rome, Italy
[2] PHASE-CNRS, 23 Rue du Loess, 67037 Strasbourg Cedex, France
来源：
Materials Science in Semiconductor Processing
|
1998年
/
1卷
/
3-4期
关键词：
Number:;
JOUR3-CT95-0069;
Acronym:;
-;
Sponsor:;
D O I：
暂无
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学科分类号：
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页码：325 / 329
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