fabrication and characterization of direct Schottky contacts to two-dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs quantum wells

被引：0

作者：

Schweeger, Giorgio ^{[1
]}

Hasegawa, Hideki ^{[1
]}

Hartnagel, Hans L. ^{[1
]}

机构：

[1] Hokkaido Univ, Sapporo, Japan

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 1994年 / 33卷 / 1 B期

关键词：

Schottky barrier diodes;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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