Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors induced by terahertz electric fields

被引：0

作者：

Ganichev, S.D. ^{[1
,2
]}

机构：

[1] Institut für Exp. und Angew. Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg, Germany

[2] A.F. Ioffe Physicotechnical Institute of the RAS, 194021 St. Petersburg, Russia

来源：

Physica B: Condensed Matter | 1999年 / 273卷

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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