EFFECTIVE RADIATIVE LIFETIME OF NONEQUILIBRIUM CARRIERS IN A VARIABLE-GAP SEMICONDUCTOR.

被引：0

作者：

Tsarenkov, G.V. ^{[1
]}

Reznikov, B.I. ^{[1
]}

机构：

[1] Acad of Sciences of the USSR, A. F., Ioffe Physicotechnical Inst,, Leningrad, USSR, Acad of Sciences of the USSR, A. F. Ioffe Physicotechnical Inst, Leningrad, USSR

来源：

Soviet physics. Semiconductors | 1984年 / 18卷 / 10期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

引用

页码：1167 / 1170