Grain boundary diffusion and electromigration in Cu-Sn alloy thin films and their VLSI interconnects

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作者：

IBM Research Division, T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, United States ^{[1
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机构：

来源：

Diffus Defect Data Pt A Diffus Forum | / 1397-1406期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

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