InGaAs/AlGaAs strained layer quantum well lasers

被引：0

作者：

Xu, Zuntu ^{[1
]}

Xu, Junying ^{[1
]}

Yang, Guowen ^{[1
]}

Zhang, Jingming ^{[1
]}

Chen, Changhua ^{[1
]}

Chen, Lianghui ^{[1
]}

Shen, Guangdi ^{[1
]}

机构：

[1] Inst of Semiconductor, Chinese Acad of Sciences, Beijing, China

来源：

Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers | 1999年 / 26卷 / 05期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

(Edited Abstract)

引用

页码：390 / 394